制造商型号: | IS42S32160D-6BI-TR |
制造商: | SILICON (芯成) |
产品类别: | 存储器芯片-控制器芯片 |
商品描述: | IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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SILICON(芯成) IS42S32160D-6BI-TR
图像仅供参考
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IS42S32160D-6BI-TR 中文资料
数据手册PDF
IS42S32160D-6BI-TR 规格参数
关键信息
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列 -
包装 卷带(TR)
产品状态 停产
技术类参数
可编程 未验证
存储器格式 DRAM
存储器组织 16M x 32
存储器接口 并联
最大时钟频率 166 MHz
写周期时间-字,页 -
访问时间 5.4 ns
电源电压 3V ~ 3.6V
规格参数
技术 SDRAM
工作温度 -40°C ~ 85°C(TA)
物理类型
存储器类型 易失
其它
存储容量 512Mb
产品编号 IS42S32160
封装参数
产品安装类型 表面贴装型
封装 90-TFBGA
供应商器件封装 90-TFBGA(8x13)
库存: 0
货期: | 8周-10周(咨询客服) |
最小起订: | 2500 个 |
整装: | ¥10 |
单价:¥179.858111 总价:¥449645.28 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
2500 | 179.858111 | 449645.28 |
品牌其他型号
IS42S32160D-6BI-TR品牌厂家:SILICON
,所属分类: 存储器芯片-控制器芯片
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