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SILICON(芯成) IS43DR16160B-37CBLI

SILICON(芯成) IS43DR16160B-37CBLI
图像仅供参考
请参阅产品规格

制造商型号:

IS43DR16160B-37CBLI

制造商:

SILICON (芯成)

产品类别:

存储器芯片-控制器芯片

商品描述:

IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA

供货:

货期 工作日(7-10天)

渠道:

国内现货
mouser
digikey

服务:

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IS43DR16160B-37CBLI 中文资料

IS43DR16160B-37CBLI 规格参数

关键信息

制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列 -

包装 托盘

产品状态 在售

技术类参数

可编程 未验证

存储器格式 DRAM

存储器组织 16M x 16

存储器接口 并联

最大时钟频率 266 MHz

写周期时间-字,页 15ns

访问时间 500 ps

电源电压 1.7V ~ 1.9V

规格参数

技术 SDRAM - DDR2

工作温度 -40°C ~ 85°C(TA)

物理类型

存储器类型 易失

其它

存储容量 256Mb

产品编号 IS43DR16160

封装参数

产品安装类型 表面贴装型

封装 84-TFBGA

供应商器件封装 84-TWBGA(8x12.5)

库存: 有货

货期:

国内(1~3工作日)

最小起订:

1 个

整装:

¥10
单价:¥33.785651 总价:¥33.79

价格(含增值税)

数量 单价 总价
1 33.785651 33.79
10 30.681271 306.81
25 30.011725 750.29
40 29.851006 1194.04
209 26.764794 5593.84
品牌其他型号
IS43DR16160B-37CBLI品牌厂家:SILICON ,所属分类: 存储器芯片-控制器芯片 ,可在锐单商城现货采购IS43DR16160B-37CBLI、查询IS43DR16160B-37CBLI代理商; IS43DR16160B-37CBLI价格批发咨询客服;这里拥有 IS43DR16160B-37CBLI中文资料 、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到 IS43DR16160B-37CBLI替代型号IS43DR16160B-37CBLI数据手册PDF