制造商型号： | DMC3021LSDQ-13 |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8-SO |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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DIODES(美台) DMC3021LSDQ-13
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DMC3021LSDQ-13 中文资料
数据手册PDF
DMC3021LSDQ-13 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 8.5 A, 7 A
漏源电阻 21 mOhms, 39 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.1 V, 2.2 V
栅极电荷 16.1 nC, 21.1 nC
耗散功率 2.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 8.55 ns, 22.2 ns
正向跨导（Min） 8.1 S, 7 S
上升时间 4.5 ns, 6.5 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 26.3 ns, 50.1 ns
典型接通延迟时间 5 ns, 10.1 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
库存： 2499
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 4.639953 | 4.64 |
| 10 | 4.507855 | 45.08 |
品牌其他型号
DMC3021LSDQ-13品牌厂家：DIODES
，所属分类： 射频晶体管
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