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SILICONIX(威世) SQ3985EV-T1_GE3

SILICONIX(威世) SQ3985EV-T1_GE3
图像仅供参考
请参阅产品规格

制造商型号:

SQ3985EV-T1_GE3

制造商:

SILICONIX (威世)

产品类别:

射频晶体管

商品描述:

MOSFET 2 P-CH 20V 3.9A 6TSOP

供货:

货期 工作日(7-10天)

渠道:

国内现货
digikey

服务:

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SQ3985EV-T1_GE3 中文资料

SQ3985EV-T1_GE3 规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET

商标 Vishay / Siliconix

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 P-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 20 V

漏极电流 3.9 A

漏源电阻 130 mOhms

栅极电压 - 8 V, + 8 V

栅源极阈值电压 1.5 V

栅极电荷 3.1 nC

耗散功率 3 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 20 ns

上升时间 26 ns

晶体管类型 2 P-Channel

典型关闭延迟时间 40 ns

典型接通延迟时间 5 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

资格 AEC-Q101

产品类型 MOSFET

零件号别名 SQ3985EV-T1_BE3

单位重量 20 mg

库存: 有货

货期:

国内(1~3工作日)

最小起订:

1 个

整装:

¥10
单价:¥4.575314 总价:¥4.58

价格(含增值税)

数量 单价 总价
1 4.575314 4.58
10 4.001941 40.02
100 3.066127 306.61
500 2.4236 1211.80
1000 1.938908 1938.91
品牌其他型号
SQ3985EV-T1_GE3品牌厂家:SILICONIX ,所属分类: 射频晶体管 ,可在锐单商城现货采购SQ3985EV-T1_GE3、查询SQ3985EV-T1_GE3代理商; SQ3985EV-T1_GE3价格批发咨询客服;这里拥有 SQ3985EV-T1_GE3中文资料 、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到 SQ3985EV-T1_GE3替代型号SQ3985EV-T1_GE3数据手册PDF