制造商型号: | SI5935CDC-T1-E3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
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SILICONIX(威世) SI5935CDC-T1-E3
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SI5935CDC-T1-E3 中文资料
数据手册PDF
SI5935CDC-T1-E3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 4 A
漏源电阻 100 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 11 nC
耗散功率 3.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
外形参数
高度 1.1 mm
长度 3.05 mm
宽度 1.65 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI5935CDC-E3
单位重量 85 mg
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 3.641917 | 3.64 |
10 | 3.126881 | 31.27 |
100 | 2.337327 | 233.73 |
500 | 1.836476 | 918.24 |
1000 | 1.419097 | 1419.10 |
品牌其他型号
SI5935CDC-T1-E3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 射频晶体管
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