制造商型号： | AFT05MS003NT1 |
制造商： | NXP (恩智浦) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-射频 |
商品描述： | IC TRANS RF LDMOS |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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NXP(恩智浦) AFT05MS003NT1
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AFT05MS003NT1 中文资料
数据手册PDF
AFT05MS003NT1 规格参数
关键信息
制造商 NXP
商标 NXP Semiconductors
技术类参数
晶体管极性 N-Channel
技术 Si
漏极电流 2.6 A
漏源击穿电压 - 500 mV, 30 V
工作频率 1.8 MHz to 941 MHz
输出功率 3.2 W
通道数量 1 Channel
耗散功率 30.5 W
栅极电压 - 6 V, 12 V
栅源极阈值电压 2.2 V
规格参数
增益 20.8 dB
物理类型
产品种类 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 RF MOSFET Transistors
类型 RF Power MOSFET
零件号别名 935312585147
单位重量 50.800 mg
库存： 1033
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
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AFT05MS003NT1品牌厂家：NXP
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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