制造商型号： | RGT30NS65DGTL |
制造商： | ROHM (罗姆) |
产品类别： | 晶体管-IGBT |
商品描述： | IGBT 650V 30A 133W TO-263S |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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ROHM(罗姆) RGT30NS65DGTL
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RGT30NS65DGTL 中文资料
数据手册PDF
RGT30NS65DGTL 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.65 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 30 A
耗散功率 133 W
集电极连续电流 15 A
集电极连续电流（Max） 30 A
栅极—射极漏泄电流 +/- 200 nA
规格参数
工作温度范围 - 40 C to + 175 C
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 RGT30NS65D(LPDS)
单位重量 2 g
RGT30NS65DGTL 同类别型号
库存： 1000
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 100 | 21.480472 | 2148.05 |
品牌其他型号
RGT30NS65DGTL品牌厂家：ROHM
，所属分类： 晶体管-IGBT
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