制造商型号： | CSD18511KTT |
制造商： | TI (德州仪器) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | GEN1.4 40V-20V |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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TI(德州仪器) CSD18511KTT
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CSD18511KTT 中文资料
数据手册PDF
CSD18511KTT 规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 194 A
漏源电阻 3.2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 64 nC
耗散功率 188 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3 ns
正向跨导（Min） 249 S
湿度敏感性 Yes
上升时间 6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 17 ns
典型接通延迟时间 8 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 4 g
库存： 1233
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
品牌其他型号
CSD18511KTT品牌厂家：TI
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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