制造商型号： | SQJB60EP-T2_GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C M |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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SILICONIX(威世) SQJB60EP-T2_GE3
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SQJB60EP-T2_GE3 中文资料
数据手册PDF
SQJB60EP-T2_GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 30 A
漏源电阻 12 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 30 nC
耗散功率 48 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 25 ns
正向跨导（Min） 43 S
上升时间 3 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 23 ns
典型接通延迟时间 10 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 3000 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥6.685187 总价：￥20055.56 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 3000 | 6.685187 | 20055.56 |
