制造商型号： | SSM6N357R,LF |
制造商： | Toshiba (东芝) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | SMALL LOW R-ON MOSFETS DUAL NCH |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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Toshiba(东芝) SSM6N357R,LF
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SSM6N357R,LF 中文资料
数据手册PDF
SSM6N357R,LF 规格参数
关键信息
制造商 Toshiba
商标名 MOSV
商标 Toshiba
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 650 mA
漏源电阻 1.8 Ohms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.3 V
栅极电荷 1.5 nC
耗散功率 1 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
正向跨导（Min） 500 mS
典型关闭延迟时间 3000 ns
典型接通延迟时间 990 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 20 mg
库存： 3049
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 5.191708 | 5.19 |
| 10 | 4.425313 | 44.25 |
| 100 | 3.301679 | 330.17 |
| 500 | 2.59437 | 1297.18 |
| 1000 | 2.004742 | 2004.74 |
