制造商型号： | APTM20DAM08TG |
制造商： | MICROSEMI (美高森美) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 200V 208A SP4 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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MICROSEMI(美高森美) APTM20DAM08TG
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APTM20DAM08TG 中文资料
数据手册PDF
APTM20DAM08TG 规格参数
属性
参数值
制造商型号
APTM20DAM08TG
制造商
MICROSEMI(美高森美)
商品描述
MOSFET N-CH 200V 208A SP4
包装
Bulk
系列
-
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
208A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
10mOhm @ 104A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
280nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
14400pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
781W (Tc)
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Chassis Mount
供应商器件封装
SP4
封装/外壳
SP4
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 100 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥872.17588 总价：￥87217.59 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 100 | 872.17588 | 87217.59 |
品牌其他型号
APTM20DAM08TG品牌厂家：MICROSEMI
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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