制造商型号： | PSMN3R3-80ES,127 |
制造商： | Nexperia (安世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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Nexperia(安世) PSMN3R3-80ES,127
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PSMN3R3-80ES,127 中文资料
数据手册PDF
PSMN3R3-80ES,127 规格参数
关键信息
制造商 Nexperia
商标 Nexperia
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 80 V
漏极电流 120 A
漏源电阻 3.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 135 nC
耗散功率 338 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 44 ns
上升时间 43 ns
晶体管类型 1 N-Channel
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 934066133127
单位重量 2.387 g
品牌其他型号
PSMN3R3-80ES,127品牌厂家：Nexperia
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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