制造商型号： | NTMFD4C87NT1G |
制造商： | ROCHESTER (罗彻斯特电子) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | POWER, N-CHANNEL, MOSFET |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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ROCHESTER(罗彻斯特电子) NTMFD4C87NT1G
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NTMFD4C87NT1G 中文资料
数据手册PDF
NTMFD4C87NT1G 规格参数
属性
参数值
制造商型号
NTMFD4C87NT1G
制造商
ROCHESTER(罗彻斯特电子)
商品描述
POWER, N-CHANNEL, MOSFET
包装
Bulk
系列
-
零件状态
Last Time Buy
FET 类型
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 功能
Standard
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
11.7A, 14.9A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
5.4mOhm @ 30A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
22.2nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1252pF @ 15V
功率 - 最大值
1.1W
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
8-PowerTDFN
供应商器件封装
8-DFN (5x6)
NTMFD4C87NT1G 同类别型号
库存： 10500
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 37.888926 | 37.89 |
| 25 | 34.101473 | 852.54 |
| 50 | 31.005266 | 1550.26 |
| 100 | 28.413094 | 2841.31 |
| 250 | 26.23855 | 6559.64 |
| 500 | 24.352024 | 12176.01 |
| 1000 | 22.739116 | 22739.12 |
