制造商型号: | NTMFD4C88NT1G |
制造商: | ROCHESTER (罗彻斯特电子) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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ROCHESTER(罗彻斯特电子) NTMFD4C88NT1G
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NTMFD4C88NT1G 中文资料
数据手册PDF
NTMFD4C88NT1G 规格参数
属性
参数值
制造商型号
NTMFD4C88NT1G
制造商
ROCHESTER(罗彻斯特电子)
商品描述
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
包装
Bulk
系列
-
零件状态
Last Time Buy
FET 类型
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 功能
Standard
漏源电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
11.7A, 14.2A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
5.4mOhm @ 10A, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
22.2nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1252pF @ 15V
功率 - 最大值
1.1W
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
8-PowerTDFN
供应商器件封装
8-DFN (5x6)
库存: 7500
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
160 | 23.388844 | 3742.22 |