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INFINEON(英飞凌) IPG20N10S4L35ATMA1

INFINEON(英飞凌) IPG20N10S4L35ATMA1
图像仅供参考
请参阅产品规格

制造商型号:

IPG20N10S4L35ATMA1

制造商:

INFINEON (英飞凌)

产品类别:

射频晶体管

商品描述:

MOSFET 2N-CH 8TDSON

供货:

货期 工作日(7-10天)

渠道:

国内现货
digikey

服务:

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IPG20N10S4L35ATMA1 中文资料

IPG20N10S4L35ATMA1 规格参数

关键信息

制造商 Infineon

商标 Infineon Technologies

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 100 V

漏极电流 20 A

漏源电阻 29 mOhms, 29 mOhms

栅极电压 - 16 V, + 16 V

栅源极阈值电压 1.1 V

栅极电荷 17.4 nC

耗散功率 43 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 13 ns, 13 ns

上升时间 2 ns, 2 ns

晶体管类型 2 N-Channel

典型关闭延迟时间 18 ns, 18 ns

典型接通延迟时间 3 ns, 3 ns

外形参数

高度 1.27 mm

长度 5.9 mm

宽度 5.15 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

资格 AEC-Q101

产品类型 MOSFET

零件号别名 IPG20N10S4L-35 SP000859022

单位重量 96.690 mg

库存: 有货

货期:

国内(1~3工作日)

最小起订:

1 个

整装:

¥10
单价:¥8.675595 总价:¥8.68

价格(含增值税)

数量 单价 总价
1 8.675595 8.68
10 7.744698 77.45
100 6.040081 604.01
500 4.989509 2494.75
1000 3.939028 3939.03
品牌其他型号
IPG20N10S4L35ATMA1品牌厂家:INFINEON ,所属分类: 射频晶体管 ,可在锐单商城现货采购IPG20N10S4L35ATMA1、查询IPG20N10S4L35ATMA1代理商; IPG20N10S4L35ATMA1价格批发咨询客服;这里拥有 IPG20N10S4L35ATMA1中文资料 、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到 IPG20N10S4L35ATMA1替代型号IPG20N10S4L35ATMA1数据手册PDF