制造商型号: | IPG20N10S4L35ATMA1 |
制造商: | INFINEON (英飞凌) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2N-CH 8TDSON |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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INFINEON(英飞凌) IPG20N10S4L35ATMA1
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IPG20N10S4L35ATMA1 中文资料
数据手册PDF
IPG20N10S4L35ATMA1 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 20 A
漏源电阻 29 mOhms, 29 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 16 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 17.4 nC
耗散功率 43 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 13 ns, 13 ns
上升时间 2 ns, 2 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 18 ns, 18 ns
典型接通延迟时间 3 ns, 3 ns
外形参数
高度 1.27 mm
长度 5.9 mm
宽度 5.15 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPG20N10S4L-35 SP000859022
单位重量 96.690 mg
IPG20N10S4L35ATMA1 同类别型号
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 8.675595 | 8.68 |
10 | 7.744698 | 77.45 |
100 | 6.040081 | 604.01 |
500 | 4.989509 | 2494.75 |
1000 | 3.939028 | 3939.03 |
品牌其他型号
IPG20N10S4L35ATMA1品牌厂家:INFINEON
,所属分类: 射频晶体管
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