制造商型号： | IHW30N160R5XKSA1 |
制造商： | INFINEON (英飞凌) |
产品类别： | 晶体管-IGBT |
商品描述： | HOME APPLIANCES 14 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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INFINEON(英飞凌) IHW30N160R5XKSA1
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IHW30N160R5XKSA1 中文资料
数据手册PDF
IHW30N160R5XKSA1 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 1600 V
饱和电压 1.85 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 60 A
耗散功率 263 W
集电极连续电流（Max） 60 A
栅极—射极漏泄电流 100 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 IHW30N160R5 SP001646684
单位重量 6 g
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 43.070454 | 43.07 |
| 10 | 38.703217 | 387.03 |
| 100 | 31.710956 | 3171.10 |
| 500 | 26.995143 | 13497.57 |
| 1000 | 24.746785 | 24746.78 |
品牌其他型号
IHW30N160R5XKSA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-IGBT
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