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IXYS(艾赛斯.力特) IXFR26N120P

IXYS(艾赛斯.力特) IXFR26N120P
图像仅供参考
请参阅产品规格

制造商型号:

IXFR26N120P

制造商:

IXYS (艾赛斯.力特)

产品类别:

晶体管-FET,MOSFET-单个

商品描述:

MOSFET N-CH 1200V 15A ISOPLUS247

供货:

货期 工作日(7-10天)

渠道:

digikey

服务:

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IXFR26N120P 中文资料

数据手册PDF

IXFR26N120P 规格参数

关键信息

制造商 IXYS

商标名 HiPerFET

商标 IXYS

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 1.2 kV

漏极电流 15 A

漏源电阻 500 mOhms

栅极电压 - 30 V, + 30 V

栅源极阈值电压 6.5 V

栅极电荷 225 nC

耗散功率 320 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 58 ns

正向跨导(Min) 13 S

上升时间 55 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 76 ns

典型接通延迟时间 56 ns

外形参数

高度 21.34 mm

长度 16.13 mm

宽度 5.21 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 Through Hole

产品类型 MOSFET

类型 Polar Power MOSFET HiPerFET

单位重量 6 g

库存: 0

货期:

8周-10周(咨询客服)

最小起订:

30 个

整装:

¥10
单价:¥451.410761 总价:¥13542.32

价格(含增值税)

数量 单价 总价
30 451.410761 13542.32
品牌其他型号
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