制造商型号： | IPG20N06S4L26AATMA1 |
制造商： | INFINEON (英飞凌) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 8TDSON |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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INFINEON(英飞凌) IPG20N06S4L26AATMA1
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IPG20N06S4L26AATMA1 中文资料
数据手册PDF
IPG20N06S4L26AATMA1 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 20 A
漏源电阻 21 mOhms, 21 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 16 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 20 nC
耗散功率 33 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 10 ns, 10 ns
上升时间 1.5 ns, 1.5 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 18 ns, 18 ns
典型接通延迟时间 5 ns, 5 ns
外形参数
高度 1 mm
长度 5.9 mm
宽度 5.15 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPG20N06S4L-26A SP001023848
单位重量 98.500 mg
IPG20N06S4L26AATMA1 同类别型号
品牌其他型号
IPG20N06S4L26AATMA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 射频晶体管
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