制造商型号: | IXTF6N200P3 |
制造商: | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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IXYS(艾赛斯.力特) IXTF6N200P3
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IXTF6N200P3 中文资料
数据手册PDF
IXTF6N200P3 规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标名 Polar3
商标 IXYS
产品 Power MOSFET Modules
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
漏源击穿电压 2 kV
漏极电流 4 A
漏源电阻 4.2 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
耗散功率 215 W
配置 Single
下降时间 46 ns
上升时间 22 ns
典型关闭延迟时间 80 ns
典型接通延迟时间 28 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 High Voltage
单位重量 6.500 g
库存: 0
货期: | 8周-10周(咨询客服) |
最小起订: | 25 个 |
整装: | ¥10 |
单价:¥266.766551 总价:¥6669.16 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
25 | 266.766551 | 6669.16 |
品牌其他型号
IXTF6N200P3品牌厂家:IXYS
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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