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IXYS(艾赛斯.力特) IXTF6N200P3

IXYS(艾赛斯.力特) IXTF6N200P3
图像仅供参考
请参阅产品规格

制造商型号:

IXTF6N200P3

制造商:

IXYS (艾赛斯.力特)

产品类别:

晶体管-FET,MOSFET-单个

商品描述:

MOSFET N-CH

供货:

货期 工作日(7-10天)

渠道:

digikey

服务:

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客服:

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IXTF6N200P3 中文资料

数据手册PDF

IXTF6N200P3 规格参数

关键信息

制造商 IXYS

商标名 Polar3

商标 IXYS

产品 Power MOSFET Modules

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

漏源击穿电压 2 kV

漏极电流 4 A

漏源电阻 4.2 Ohms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 3 V

耗散功率 215 W

配置 Single

下降时间 46 ns

上升时间 22 ns

典型关闭延迟时间 80 ns

典型接通延迟时间 28 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 Through Hole

产品类型 MOSFET

类型 High Voltage

单位重量 6.500 g

库存: 0

货期:

8周-10周(咨询客服)

最小起订:

25 个

整装:

¥10
单价:¥266.766551 总价:¥6669.16

价格(含增值税)

数量 单价 总价
25 266.766551 6669.16
品牌其他型号
IXTF6N200P3品牌厂家:IXYS ,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个 ,可在锐单商城现货采购IXTF6N200P3、查询IXTF6N200P3代理商; IXTF6N200P3价格批发咨询客服;这里拥有 IXTF6N200P3中文资料 、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到 IXTF6N200P3替代型号IXTF6N200P3数据手册PDF