制造商型号: | APT45GP120B2DQ2G |
制造商: | MICROSEMI (美高森美) |
产品类别: | 晶体管-IGBT |
商品描述: | IGBT 1200V 113A 625W TMAX |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
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MICROSEMI(美高森美) APT45GP120B2DQ2G
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APT45GP120B2DQ2G 中文资料
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APT45GP120B2DQ2G 规格参数
属性
参数值
制造商型号
APT45GP120B2DQ2G
制造商
MICROSEMI(美高森美)
商品描述
IGBT 1200V 113A 625W TMAX
包装
Tube
系列
POWER MOS 7®
零件状态
Active
IGBT 类型
PT
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200V
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
113A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
170A
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on)
3.9V @ 15V, 45A
功率 - 最大值
625W
开关能量
900µJ (on), 905µJ (off)
输入类型
Standard
栅极电荷
185nC
25°C 时 Td(开/关)值
18ns/100ns
测试条件
600V, 45A, 5Ohm, 15V
反向恢复时间(trr)
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/外壳
TO-247-3 Variant
供应商器件封装
-
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库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 148.044217 | 148.04 |
100 | 127.787997 | 12778.80 |
品牌其他型号
APT45GP120B2DQ2G品牌厂家:MICROSEMI
,所属分类: 晶体管-IGBT
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