制造商型号： | NGTB40N120FL2WG |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 晶体管-IGBT |
商品描述： | IGBT 1200V 80A 535W TO247 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 自营 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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ON(安森美) NGTB40N120FL2WG
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NGTB40N120FL2WG 中文资料
数据手册PDF
NGTB40N120FL2WG 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 1200 V
饱和电压 2 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 80 A
耗散功率 535 W
栅极—射极漏泄电流 200 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 6.500 g
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 47.154108 | 47.15 |
| 10 | 31.963481 | 319.63 |
| 100 | 23.346912 | 2334.69 |
| 500 | 19.664765 | 9832.38 |
| 1000 | 19.660574 | 19660.57 |
