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INFINEON(英飞凌) IPT026N10N5ATMA1

INFINEON(英飞凌) IPT026N10N5ATMA1
图像仅供参考
请参阅产品规格

制造商型号:

IPT026N10N5ATMA1

制造商:

INFINEON (英飞凌)

产品类别:

晶体管-FET,MOSFET-单个

商品描述:

TRENCH >=100V

供货:

货期 工作日(7-10天)

渠道:

国内现货
digikey

服务:

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IPT026N10N5ATMA1 中文资料

IPT026N10N5ATMA1 规格参数

关键信息

制造商 Infineon

商标 Infineon Technologies

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 100 V

漏极电流 202 A

漏源电阻 2.6 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 3.8 V

栅极电荷 96 nC

耗散功率 214 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 13 ns

正向跨导(Min) 105 S

上升时间 11 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 38 ns

典型接通延迟时间 17 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 IPT026N10N5 SP003883420

单位重量 771.020 mg

库存: 有货

货期:

国内(1~3工作日)

最小起订:

1 个

整装:

¥10
单价:¥34.452363 总价:¥34.45

价格(含增值税)

数量 单价 总价
1 34.452363 34.45
10 30.95879 309.59
100 25.36624 2536.62
500 21.593881 10796.94
1000 18.211624 18211.62
品牌其他型号
IPT026N10N5ATMA1品牌厂家:INFINEON ,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个 ,可在锐单商城现货采购IPT026N10N5ATMA1、查询IPT026N10N5ATMA1代理商; IPT026N10N5ATMA1价格批发咨询客服;这里拥有 IPT026N10N5ATMA1中文资料 、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到 IPT026N10N5ATMA1替代型号IPT026N10N5ATMA1数据手册PDF