制造商型号: | TK11A60D(STA4,Q,M) |
制造商: | Toshiba (东芝) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 600V 11A TO-220SIS |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
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Toshiba(东芝) TK11A60D(STA4,Q,M)
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TK11A60D(STA4,Q,M) 中文资料
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TK11A60D(STA4,Q,M) 规格参数
属性
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制造商型号
TK11A60D(STA4,Q,M)
制造商
Toshiba(东芝)
商品描述
MOSFET N-CH 600V 11A TO-220SIS
包装
Tube
系列
π-MOSVII
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
11A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
650mOhm @ 5.5A, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
28nC @ 10V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1550pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
45W (Tc)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
TO-220SIS
封装/外壳
TO-220-3 Full Pack
品牌其他型号
TK11A60D(STA4,Q,M)品牌厂家:Toshiba
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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