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MICROSEMI(美高森美) APTM20HM08FG

MICROSEMI(美高森美) APTM20HM08FG
图像仅供参考
请参阅产品规格

制造商型号:

APTM20HM08FG

制造商:

MICROSEMI (美高森美)

产品类别:

射频晶体管

商品描述:

MOSFET 4N-CH 200V 208A SP6

供货:

货期 工作日(7-10天)

渠道:

digikey

服务:

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APTM20HM08FG 中文资料

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APTM20HM08FG 规格参数

属性
参数值

制造商型号

APTM20HM08FG

制造商

MICROSEMI(美高森美)

商品描述

MOSFET 4N-CH 200V 208A SP6

包装

Bulk

系列

-

零件状态

Active

FET 类型

4 N-Channel (H-Bridge)

FET 功能

Standard

漏源电压(Vdss)

200V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)

208A

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)

10mOhm @ 104A, 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)

5V @ 5mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)

280nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)

14400pF @ 25V

功率 - 最大值

781W

工作温度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安装类型

Chassis Mount

封装/外壳

SP6

供应商器件封装

SP6

库存: 0

货期:

8周-10周(咨询客服)

最小起订:

4 个

整装:

¥10
单价:¥4151.087377 总价:¥16604.35

价格(含增值税)

数量 单价 总价
4 4151.087377 16604.35
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