制造商型号： | APTM120DU15G |
制造商： | MICROSEMI (美高森美) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 1200V 60A SP6 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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MICROSEMI(美高森美) APTM120DU15G
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APTM120DU15G 中文资料
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APTM120DU15G 规格参数
属性
参数值
制造商型号
APTM120DU15G
制造商
MICROSEMI(美高森美)
商品描述
MOSFET 2N-CH 1200V 60A SP6
包装
Bulk
系列
-
零件状态
Active
FET 类型
2 N-Channel (Dual)
FET 功能
Standard
漏源电压（Vdss）
1200V (1.2kV)
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
60A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
175mOhm @ 30A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 10mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
748nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
20600pF @ 25V
功率 - 最大值
1250W
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Chassis Mount
封装/外壳
SP6
供应商器件封装
SP6
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 100 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥2281.002286 总价：￥228100.23 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 100 | 2281.002286 | 228100.23 |
品牌其他型号
APTM120DU15G品牌厂家：MICROSEMI
，所属分类： 射频晶体管
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