制造商型号： | SISF02DN-T1-GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET DUAL N-CH 25V 1212-8 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
提示： | 联系在线客服，获得更多SISF02DN-T1-GE3价格库存等采购信息！ |
SILICONIX(威世) SISF02DN-T1-GE3
图像仅供参考
请参阅产品规格
请参阅产品规格
SISF02DN-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SISF02DN-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 40 A
漏源电阻 2.15 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 51 nC
耗散功率 52 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
正向跨导（Min） 105 S
上升时间 17 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 25 ns
典型接通延迟时间 24 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1 g
SISF02DN-T1-GE3 同类别型号
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 3000 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥9.106755 总价：￥27320.26 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 3000 | 9.106755 | 27320.26 |
| 6000 | 8.278804 | 49672.82 |
| 15000 | 7.896705 | 118450.57 |
| 30000 | 7.641973 | 229259.19 |
