制造商型号: | FDBL86063-F085 |
制造商: | ON (安森美) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | NMOS TOLL 100V 2.0 MOHM |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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ON(安森美) FDBL86063-F085
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FDBL86063-F085 中文资料
数据手册PDF
FDBL86063-F085 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 240 A
漏源电阻 2.6 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 73 nC
耗散功率 357 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
上升时间 16 ns
晶体管类型 1 N-Channel Power Trench MOSFET
典型关闭延迟时间 32 ns
典型接通延迟时间 25 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 1.622 g
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 45.186433 | 45.19 |
10 | 40.830301 | 408.30 |
100 | 33.803319 | 3380.33 |
500 | 29.435352 | 14717.68 |
1000 | 25.637251 | 25637.25 |
品牌其他型号
FDBL86063-F085品牌厂家:ON
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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