制造商型号： | BSC0805LSATMA1 |
制造商： | INFINEON (英飞凌) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | 100V, N-CH MOSFET, LOGIC LEVEL, |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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INFINEON(英飞凌) BSC0805LSATMA1
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BSC0805LSATMA1 中文资料
数据手册PDF
BSC0805LSATMA1 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 79 A
漏源电阻 7.7 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.7 V
栅极电荷 16 nC
耗散功率 83 W
通道模式 Enhancement
下降时间 5.3 ns
正向跨导（Min） 36 S
上升时间 3.6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 6.5 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSC0805LS SP001861048
库存： 1188
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 8.8935 | 8.89 |
品牌其他型号
BSC0805LSATMA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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