制造商型号: | IKD10N60RFATMA1 |
制造商: | INFINEON (英飞凌) |
产品类别: | 晶体管-IGBT |
商品描述: | IGBT 600V 20A 150W PG-TO252-3 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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INFINEON(英飞凌) IKD10N60RFATMA1
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IKD10N60RFATMA1 中文资料
数据手册PDF
IKD10N60RFATMA1 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
商标名 TRENCHSTOP
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 600 V
饱和电压 2.2 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 20 A
耗散功率 150 W
栅极—射极漏泄电流 100 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 IKD10N60RF SP000939366
单位重量 333.400 mg
IKD10N60RFATMA1 同类别型号
库存: 918
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 21.005234 | 21.01 |
10 | 18.830574 | 188.31 |
100 | 15.136126 | 1513.61 |
500 | 12.43584 | 6217.92 |
1000 | 12.358492 | 12358.49 |
品牌其他型号
IKD10N60RFATMA1品牌厂家:INFINEON
,所属分类: 晶体管-IGBT
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