制造商型号: | SPP11N60S5XKSA1 |
制造商: | INFINEON (英飞凌) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | LOW POWER_LEGACY |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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INFINEON(英飞凌) SPP11N60S5XKSA1
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SPP11N60S5XKSA1 中文资料
数据手册PDF
SPP11N60S5XKSA1 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 11 A
漏源电阻 380 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4.5 V
栅极电荷 41.5 nC
耗散功率 125 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 20 ns
正向跨导(Min) 6 S
上升时间 35 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 150 ns
典型接通延迟时间 130 ns
外形参数
高度 15.65 mm
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 CoolMOS Power Transistor
零件号别名 SPP11N60S5 SP000681044
单位重量 2 g
库存: 0
货期: | 8周-10周(咨询客服) |
最小起订: | 500 个 |
整装: | ¥10 |
单价:¥23.417136 总价:¥11708.57 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
500 | 23.417136 | 11708.57 |
品牌其他型号
SPP11N60S5XKSA1品牌厂家:INFINEON
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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