制造商型号: | DMG3418L-13 |
制造商: | DIODES (美台) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 30V 4A SOT23 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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DIODES(美台) DMG3418L-13
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DMG3418L-13 中文资料
数据手册PDF
DMG3418L-13 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标名 PowerDI
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 4 A
漏源电阻 50 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 5.5 nC
耗散功率 1.4 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 2 ns
上升时间 1.6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 10.3 ns
典型接通延迟时间 1.9 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
库存: 1000
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
10000 | 0.928432 | 9284.32 |
品牌其他型号
DMG3418L-13品牌厂家:DIODES
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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