制造商型号： | IPB120N10S403ATMA1 |
制造商： | INFINEON (英飞凌) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH TO263-3 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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INFINEON(英飞凌) IPB120N10S403ATMA1
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IPB120N10S403ATMA1 中文资料
数据手册PDF
IPB120N10S403ATMA1 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 120 A
漏源电阻 3.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.7 V
栅极电荷 140 nC
耗散功率 250 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 40 ns
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 45 ns
典型接通延迟时间 20 ns
外形参数
高度 4.4 mm
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPB120N10S4-03 SP001102598
单位重量 4 g
IPB120N10S403ATMA1 引脚图与封装图
IPB120N10S403ATMA1引脚图
IPB120N10S403ATMA1封装图
IPB120N10S403ATMA1封装焊盘图
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 1000 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥41.902607 总价：￥41902.61 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1000 | 41.902607 | 41902.61 |
品牌其他型号
IPB120N10S403ATMA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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