制造商型号： | SI5980DU-T1-GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 100V 2.5A CHIPFET |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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SILICONIX(威世) SI5980DU-T1-GE3
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SI5980DU-T1-GE3 中文资料
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SI5980DU-T1-GE3 规格参数
属性
参数值
制造商型号
SI5980DU-T1-GE3
制造商
SILICONIX(威世)
商品描述
MOSFET 2N-CH 100V 2.5A CHIPFET
包装
Cut Tape (CT)
系列
TrenchFET®
零件状态
Obsolete
FET 类型
2 N-Channel (Dual)
FET 功能
Standard
漏源电压（Vdss）
100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
2.5A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
567mOhm @ 400mA, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
3.3nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
78pF @ 50V
功率 - 最大值
7.8W
工作温度
-
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
PowerPAK® ChipFET™ Dual
供应商器件封装
PowerPAK® ChipFet Dual
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SI5980DU-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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