制造商型号: | EFC6602R-TR |
制造商: | ON (安森美) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2N-CH EFCP |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
提示: | 联系在线客服,获得更多EFC6602R-TR价格库存等采购信息! |
ON(安森美) EFC6602R-TR
图像仅供参考
请参阅产品规格
请参阅产品规格
EFC6602R-TR 中文资料
数据手册PDF
EFC6602R-TR 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 18 A
漏源电阻 5.9 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 55 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 66 mg
品牌其他型号
EFC6602R-TR品牌厂家:ON
,所属分类: 射频晶体管
,可在锐单商城现货采购EFC6602R-TR、查询EFC6602R-TR代理商; EFC6602R-TR价格批发咨询客服;这里拥有
EFC6602R-TR中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到
EFC6602R-TR替代型号
、
EFC6602R-TR数据手册PDF。