制造商型号： | TSM250NB06DCR RLG |
制造商： | Taiwan Semiconductor (台湾集成电路制造) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 60V, |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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Taiwan Semiconductor(台湾集成电路制造) TSM250NB06DCR RLG
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TSM250NB06DCR RLG 中文资料
数据手册PDF
TSM250NB06DCR RLG 规格参数
关键信息
制造商 Taiwan Semiconductor
商标 Taiwan Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 30 A
漏源电阻 25 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 22 nC
耗散功率 2 W, 48 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 3 ns
正向跨导（Min） 36 S
上升时间 9 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 14 ns
典型接通延迟时间 7 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 TSM250NB06DCR
单位重量 372.608 mg
库存： 17314
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 36.137104 | 36.14 |
| 10 | 32.509601 | 325.10 |
| 100 | 26.133195 | 2613.32 |
| 500 | 21.471508 | 10735.75 |
| 1000 | 17.790627 | 17790.63 |
品牌其他型号
TSM250NB06DCR RLG品牌厂家：Taiwan Semiconductor
，所属分类： 射频晶体管
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