制造商型号： | SI1539DDL-T1-GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET N/P-CH 30V SC70-6 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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SILICONIX(威世) SI1539DDL-T1-GE3
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SI1539DDL-T1-GE3 中文资料
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SI1539DDL-T1-GE3 规格参数
属性
参数值
制造商型号
SI1539DDL-T1-GE3
制造商
SILICONIX(威世)
商品描述
MOSFET N/P-CH 30V SC70-6
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
零件状态
Obsolete
FET 类型
N and P-Channel
FET 功能
Standard
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
700mA (Tc), 460mA (Tc)
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
388mOhm @ 600mA, 10V, 1.07Ohm @ 400mA, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 250µA, 3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
1.1nC @ 4.5V, 1.2nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
28pF @ 15V, 21pF @ 15V
功率 - 最大值
340mW
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供应商器件封装
SC-70-6
