制造商型号： | IXGH40N120C3D1 |
制造商： | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别： | 晶体管-IGBT |
商品描述： | IGBT 1200V 75A 380W TO247 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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IXYS(艾赛斯.力特) IXGH40N120C3D1
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IXGH40N120C3D1 中文资料
数据手册PDF
IXGH40N120C3D1 规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标 IXYS
商标名 GenX3
技术类参数
技术 Si
击穿电压(集电极-发射极) 1.2 kV
饱和电压 4.4 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 75 A
耗散功率 380 W
集电极连续电流 75 A
集电极连续电流（Max） 180 A
栅极—射极漏泄电流 100 nA
规格参数
工作温度范围 - 55 C to + 150 C
外形参数
高度 21.46 mm
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 38 g
IXGH40N120C3D1 同类别型号
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 102.278113 | 102.28 |
| 10 | 90.076386 | 900.76 |
| 100 | 77.901708 | 7790.17 |
| 500 | 70.598656 | 35299.33 |
| 1000 | 64.756082 | 64756.08 |
品牌其他型号
IXGH40N120C3D1品牌厂家：IXYS
，所属分类： 晶体管-IGBT
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