制造商型号： | NVB25P06T4G |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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ON(安森美) NVB25P06T4G
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NVB25P06T4G 中文资料
数据手册PDF
NVB25P06T4G 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 27.5 A
漏源电阻 65 mOhms
栅极电压 - 15 V, + 15 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 33 nC
耗散功率 120 W
通道模式 Enhancement
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 4 g
品牌其他型号
NVB25P06T4G品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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