制造商型号： | SIR624DP-T1-GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 200V 18.6A SO-8 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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SILICONIX(威世) SIR624DP-T1-GE3
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SIR624DP-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SIR624DP-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 18.6 A
漏源电阻 50 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 30 nC
耗散功率 52 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
正向跨导（Min） 26 S
上升时间 18 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 16 ns
典型接通延迟时间 9 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 1 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥16.573602 总价：￥16.57 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 16.573602 | 16.57 |
| 10 | 13.516059 | 135.16 |
| 100 | 10.515666 | 1051.57 |
| 500 | 8.91317 | 4456.58 |
| 1000 | 7.260668 | 7260.67 |
品牌其他型号
SIR624DP-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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