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ROCHESTER(罗彻斯特电子) FQNL1N50BBU

ROCHESTER(罗彻斯特电子) FQNL1N50BBU
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请参阅产品规格

制造商型号:

FQNL1N50BBU

制造商:

ROCHESTER (罗彻斯特电子)

产品类别:

晶体管-FET,MOSFET-单个

商品描述:

N-CHANNEL POWER MOSFET

供货:

货期 工作日(7-10天)

渠道:

digikey

服务:

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FQNL1N50BBU 中文资料

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FQNL1N50BBU 规格参数

属性
参数值

制造商型号

FQNL1N50BBU

制造商

ROCHESTER(罗彻斯特电子)

商品描述

N-CHANNEL POWER MOSFET

包装

Bulk

系列

QFET®

零件状态

Obsolete

FET 类型

N-Channel

技术

MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss)

500V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)

270mA (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)

9Ohm @ 135mA, 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)

3.7V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)

5.5nC @ 10V

Vgs(最大值)

±30V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)

150pF @ 25V

FET 功能

-

功率耗散(最大值)

1.5W (Tc)

工作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安装类型

Through Hole

供应商器件封装

TO-92-3

封装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)

库存: 0

货期:

8周-10周(咨询客服)

最小起订:

1316 个

整装:

¥10
单价:¥2.347644 总价:¥3089.50

价格(含增值税)

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1316 2.347644 3089.50
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