制造商型号: | FDS4935BZ |
制造商: | ON (安森美) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8-SOIC |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 自营 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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ON(安森美) FDS4935BZ
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FDS4935BZ 中文资料
数据手册PDF
FDS4935BZ 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标名 PowerTrench
商标 onsemi / Fairchild
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 6.9 A
漏源电阻 18 mOhms
栅极电压 - 25 V, + 25 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 29 nC
耗散功率 1.6 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 13 ns
正向跨导(Min) 22 S
上升时间 13 ns
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 68 ns
典型接通延迟时间 12 ns
外形参数
高度 1.75 mm
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 187 mg
品牌其他型号
FDS4935BZ品牌厂家:ON
,所属分类: 射频晶体管
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