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ON(安森美) FDFMA2P859T

ON(安森美) FDFMA2P859T
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请参阅产品规格

制造商型号:

FDFMA2P859T

制造商:

ON (安森美)

产品类别:

晶体管-FET,MOSFET-单个

商品描述:

MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET

供货:

货期 工作日(7-10天)

渠道:

digikey

服务:

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FDFMA2P859T 中文资料

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FDFMA2P859T 规格参数

属性
参数值

制造商型号

FDFMA2P859T

制造商

ON(安森美)

商品描述

MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET

包装

Tape & Reel (TR)

系列

PowerTrench®

零件状态

Obsolete

FET 类型

P-Channel

技术

MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss)

20V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)

3A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)

120mOhm @ 3A, 4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)

1.3V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)

6nC @ 4.5V

Vgs(最大值)

±8V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)

435pF @ 10V

FET 功能

Schottky Diode (Isolated)

功率耗散(最大值)

1.4W (Ta)

工作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安装类型

Surface Mount

供应商器件封装

MicroFET 2x2 Thin

封装/外壳

6-UDFN Exposed Pad

库存: 0

货期:

8周-10周(咨询客服)

最小起订:

1 个

整装:

¥10
单价:咨询客服 总价:咨询客服

价格(含增值税)

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