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NXP(恩智浦) A2V09H400-04NR3

NXP(恩智浦) A2V09H400-04NR3
图像仅供参考
请参阅产品规格

制造商型号:

A2V09H400-04NR3

制造商:

NXP (恩智浦)

产品类别:

晶体管-FET,MOSFET-射频

商品描述:

AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

供货:

货期 工作日(7-10天)

渠道:

digikey

服务:

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A2V09H400-04NR3 中文资料

A2V09H400-04NR3 规格参数

关键信息

制造商 NXP

商标 NXP Semiconductors

技术类参数

晶体管极性 Dual N-Channel

技术 Si

漏极电流 2.1 A

漏源击穿电压 - 500 mV, 105 V

工作频率 720 MHz to 960 MHz

输出功率 107 W

湿度敏感性 Yes

通道数量 2 Channel

栅极电压 - 6 V, 10 V

栅源极阈值电压 1.3 V

规格参数

增益 17.9 dB

物理类型

产品种类 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

安装风格 SMD/SMT

产品类型 RF MOSFET Transistors

类型 RF Power MOSFET

零件号别名 935337372528

单位重量 3.074 g

库存: 0

货期:

8周-10周(咨询客服)

最小起订:

1 个

整装:

¥10
单价:咨询客服 总价:咨询客服

价格(含增值税)

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A2V09H400-04NR3品牌厂家:NXP ,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频 ,可在锐单商城现货采购A2V09H400-04NR3、查询A2V09H400-04NR3代理商; A2V09H400-04NR3价格批发咨询客服;这里拥有 A2V09H400-04NR3中文资料 、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到 A2V09H400-04NR3替代型号A2V09H400-04NR3数据手册PDF