制造商型号: | A2V09H400-04NR3 |
制造商: | NXP (恩智浦) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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NXP(恩智浦) A2V09H400-04NR3
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A2V09H400-04NR3 中文资料
数据手册PDF
A2V09H400-04NR3 规格参数
关键信息
制造商 NXP
商标 NXP Semiconductors
技术类参数
晶体管极性 Dual N-Channel
技术 Si
漏极电流 2.1 A
漏源击穿电压 - 500 mV, 105 V
工作频率 720 MHz to 960 MHz
输出功率 107 W
湿度敏感性 Yes
通道数量 2 Channel
栅极电压 - 6 V, 10 V
栅源极阈值电压 1.3 V
规格参数
增益 17.9 dB
物理类型
产品种类 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 RF MOSFET Transistors
类型 RF Power MOSFET
零件号别名 935337372528
单位重量 3.074 g
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品牌其他型号
A2V09H400-04NR3品牌厂家:NXP
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频
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