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ON(安森美) FDMS3660AS

ON(安森美) FDMS3660AS
图像仅供参考
请参阅产品规格

制造商型号:

FDMS3660AS

制造商:

ON (安森美)

产品类别:

射频晶体管

商品描述:

MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8QFN

供货:

货期 工作日(7-10天)

渠道:

digikey

服务:

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FDMS3660AS 中文资料

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FDMS3660AS 规格参数

属性
参数值

制造商型号

FDMS3660AS

制造商

ON(安森美)

商品描述

MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8QFN

包装

Tape & Reel (TR) Alternate Packaging

系列

PowerTrench®

零件状态

Active

FET 类型

2 N-Channel (Dual)

FET 功能

Logic Level Gate

漏源电压(Vdss)

30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)

13A, 30A

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)

8mOhm @ 13A, 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)

2.7V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)

30nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)

2230pF @ 15V

功率 - 最大值

1W

工作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安装类型

Surface Mount

封装/外壳

8-PowerTDFN

供应商器件封装

Power56

库存: 2984

货期:

工作日(7~10天)

最小起订:

3000 个

整装:

¥10
单价:¥8.66491 总价:¥25994.73
购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。

价格(含增值税)

数量 单价 总价
3000 8.66491 25994.73
6000 7.877213 47263.28
15000 7.574243 113613.65
品牌其他型号
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