制造商型号： | IXTA1N170DHV |
制造商： | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 1700V 1A TO-263 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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IXYS(艾赛斯.力特) IXTA1N170DHV
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IXTA1N170DHV 中文资料
数据手册PDF
IXTA1N170DHV 规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标 IXYS
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1.7 kV
漏极电流 1 A
漏源电阻 16 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4.5 V
栅极电荷 47 nC
耗散功率 290 W
通道模式 Depletion
配置 Single
下降时间 216 ns
正向跨导（Min） 570 mS
上升时间 38 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 130 ns
典型接通延迟时间 46 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 2.500 g
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 112.74552 | 112.75 |
| 10 | 103.629335 | 1036.29 |
| 100 | 87.520375 | 8752.04 |
| 500 | 77.855554 | 38927.78 |
品牌其他型号
IXTA1N170DHV品牌厂家：IXYS
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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