制造商型号： | IXFH26N100X |
制造商： | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET 1KV 26A ULTRA JCT TO247 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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IXYS(艾赛斯.力特) IXFH26N100X
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IXFH26N100X 中文资料
数据手册PDF
IXFH26N100X 规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1 kV
漏极电流 8 A
漏源电阻 320 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3.5 V
栅极电荷 113 nC
耗散功率 860 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
正向跨导（Min） 11 S
上升时间 20 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 62 ns
典型接通延迟时间 29 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
库存： 300
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 214.779924 | 214.78 |
| 10 | 197.410519 | 1974.11 |
| 25 | 189.227347 | 4730.68 |
| 100 | 166.726459 | 16672.65 |
| 500 | 148.314606 | 74157.30 |
| 1000 | 139.48086 | 139480.86 |
品牌其他型号
IXFH26N100X品牌厂家：IXYS
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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