制造商型号： | R6030KNZC17 |
制造商： | ROHM (罗姆) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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ROHM(罗姆) R6030KNZC17
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R6030KNZC17 中文资料
数据手册PDF
R6030KNZC17 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 30 A
漏源电阻 130 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 56 nC
耗散功率 86 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 50 ns
上升时间 65 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 100 ns
典型接通延迟时间 35 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
其它
发货限制：
品牌其他型号
R6030KNZC17品牌厂家：ROHM
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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