制造商型号： | SIHS90N65E-E3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 650V 87A SUPER247 |
供货： | 国内现货 工作日（1~3工作日） |
渠道： | 国内现货 digikey |
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客服： | |
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SILICONIX(威世) SIHS90N65E-E3
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SIHS90N65E-E3 中文资料
数据手册PDF
SIHS90N65E-E3 规格参数
属性
参数值
制造商型号
SIHS90N65E-E3
制造商
SILICONIX(威世)
商品描述
MOSFET N-CH 650V 87A SUPER247
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
-
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
87A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
29mOhm @ 45A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
591nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
11826pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
625W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
SUPER-247™ (TO-274AA)
封装/外壳
TO-247-3
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 118.856618 | 118.86 |
| 10 | 109.62768 | 1096.28 |
| 25 | 104.700335 | 2617.51 |
| 100 | 92.383183 | 9238.32 |
| 250 | 86.224304 | 21556.08 |
品牌其他型号
SIHS90N65E-E3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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