制造商型号： | SIHS90N65E-E3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 650V 87A SUPER247 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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SILICONIX(威世) SIHS90N65E-E3
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SIHS90N65E-E3 中文资料
数据手册PDF
SIHS90N65E-E3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 87 A
漏源电阻 25 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 394 nC
耗散功率 625 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 267 ns
上升时间 152 ns
典型关闭延迟时间 323 ns
典型接通延迟时间 85 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
库存： 460
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 242.672305 | 242.67 |
| 10 | 223.829369 | 2238.29 |
| 25 | 213.769094 | 5344.23 |
| 100 | 188.620879 | 18862.09 |
| 250 | 176.046154 | 44011.54 |
品牌其他型号
SIHS90N65E-E3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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