制造商型号： | IXTH24N65X2 |
制造商： | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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IXYS(艾赛斯.力特) IXTH24N65X2
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IXTH24N65X2 中文资料
数据手册PDF
IXTH24N65X2 规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
产品 Power MOSFET Modules
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 24 A
漏源电阻 145 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
耗散功率 390 W
配置 Single
下降时间 19 ns
上升时间 25 ns
典型关闭延迟时间 50 ns
典型接通延迟时间 20 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 X2-Class
单位重量 6 g
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 35.977927 | 35.98 |
| 30 | 28.702502 | 861.08 |
| 120 | 25.681466 | 3081.78 |
| 510 | 22.66002 | 11556.61 |
| 1020 | 20.393995 | 20801.87 |
品牌其他型号
IXTH24N65X2品牌厂家：IXYS
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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