制造商型号： | DMG6601LVT-7 |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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DIODES(美台) DMG6601LVT-7
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DMG6601LVT-7 中文资料
数据手册PDF
DMG6601LVT-7 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 3.8 A, 2.5 A
漏源电阻 55 mOhms, 110 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 500 mV, 400 mV
栅极电荷 12.3 nC, 13.8 nC
耗散功率 1.3 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 15.6 ns, 2.2 ns
上升时间 7.4 ns, 4.6 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 31.2 ns, 18.3 ns
典型接通延迟时间 1.6 ns, 1.7 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
库存： 23582
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 6.425427 | 6.43 |
| 10 | 3.931749 | 39.32 |
| 100 | 1.701208 | 170.12 |
| 500 | 1.439908 | 719.95 |
| 1000 | 1.275906 | 1275.91 |
品牌其他型号
DMG6601LVT-7品牌厂家：DIODES
，所属分类： 射频晶体管
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